GSID150A120S6A4
SILICON IGBT MODULES
部品番号
GSID150A120S6A4
メーカー/ブランド
シリーズ
Amp+™
部品のステータス
Active
動作温度
-40°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
Module
パワー - 最大
1035W
構成
Single
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
275A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)
1200V
電流 - コレクタカットオフ (最大)
1mA
IGBTの種類
-
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic
1.9V @ 15V, 150A
入力容量 (Cies) @ Vce
20.2nF @ 25V
入力
Standard
NTCサーミスタ
Yes
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