GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB を購入

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GA06JT12-247

TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB

部品番号

GA06JT12-247

メーカー/ブランド

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

動作温度

175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-247-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-247AB

消費電力(最大)

FETタイプ

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1200V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6A (Tc) (90°C)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

220 mOhm @ 6A

Vgs(th) (最大) @ ID

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

Vgs (最大)

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