EPC2100ENG
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
部品番号
EPC2100ENG
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Discontinued at Digi-Key
包装
Tray
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
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