EPC2033
TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE
部品番号
EPC2033
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
150V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
31A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 9mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1140pF @ 75V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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