EPC2030
MOSFET NCH 40V 31A DIE
部品番号
EPC2030
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
-
パッケージ・ケース
-
サプライヤーデバイスパッケージ
-
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
31A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 16mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
18nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1900pF @ 20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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