EPC2022
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
部品番号
EPC2022
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 12mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1500pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V
Vgs (最大)
+6V, -4V
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