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EPC2021
TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.5 mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 14mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1650pF @ 40V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V
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