EPC2019
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
部品番号
EPC2019
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2.5nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
270pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V
Vgs (最大)
+6V, -4V
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