Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TA MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC を購入

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DataSheets

ZXMN3A06DN8TA

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

部品番号

ZXMN3A06DN8TA

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

パワー - 最大

1.8W

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SO

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

4.9A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

35 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA (Min)

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

17.5nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

796pF @ 25V

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