Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 を購入

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DataSheets

ZXMN10B08E6TA

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

部品番号

ZXMN10B08E6TA

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-23-6

サプライヤーデバイスパッケージ

SOT-26

消費電力(最大)

1.1W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1.6A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

230 mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

9.2nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

497pF @ 50V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.3V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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