Diodes Incorporated DMT6010LSS-13 MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2 を購入

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DMT6010LSS-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

部品番号

DMT6010LSS-13

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SO

消費電力(最大)

1.5W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

14A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

41.3nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2090pF @ 30V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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