Diodes Incorporated DMN2016LFG-7 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN を購入

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DataSheets

DMN2016LFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

部品番号

DMN2016LFG-7

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerUDFN

パワー - 最大

770mW

サプライヤーデバイスパッケージ

U-DFN3030-8

FETタイプ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

5.2A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

18 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

16nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1472pF @ 10V

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