Diodes Incorporated DMN2013UFX-7 MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

DMN2013UFX-7

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

部品番号

DMN2013UFX-7

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Discontinued at Digi-Key

包装

Digi-Reel®

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-VFDFN Exposed Pad

パワー - 最大

780mW

サプライヤーデバイスパッケージ

W-DFN5020-6

FETタイプ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

57.4nC @ 8V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2607pF @ 10V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 54582 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26