onsemi (Ansemi)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
NCP5106BDR2G
Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
カテゴリー
Power Chip > Gate Driver IC
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
説明
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、
送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、
[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 75348 PCS